Infineon hat am 27. Oktober den Aufbau einer Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter in Villach angekündigt. Dafür sind bis 2034 Investitionen von rund 1,1 Mrd. Euro vorgesehen. Nach Unternehmensangaben soll dort die weltweit erste Hochvolumenfertigung dieser Halbleiter auf 300-mm-Wafern entstehen.

Produktionsstart für Ende 2027 vorgesehen

Für das Vorhaben sind 319 Mio. Euro Förderung im Rahmen des Europäischen Chips Acts vorgesehen. Der Produktionsstart ist für Ende 2027 geplant.

Ein weiteres GaN-Vorhaben betrifft die Zusammenarbeit mit Enphase Energy: Beide Unternehmen kündigten GaN-BDS-Bauelemente mit 900 Volt an. Sie sind für Solid-State-Transformatoren in KI-Rechenzentren bestimmt.

Für KI-Server veröffentlichte Infineon außerdem ein M-CRPS-Referenzdesign mit einer Leistung von 5,6 kW. Zum Produktangebot gehören zudem die vorgestellte LinearFET-Technologie für die Stromverteilung in Fahrzeugen und ein Hochvolt-BMS-Referenzdesign.

Bei der bereits angekündigten Technologievereinbarung mit Qualcomm Technologies geht es um ein mikrocontrollerbasiertes Designkonzept. Es ergänzt Qualcomms Snapdragon-Ride-Plattformen für Fahrzeugcomputer in softwaredefinierten Fahrzeugen und soll die Entwicklung von Lösungen für automatisiertes Fahren und digitale Cockpits unterstützen.

Neue Laborflächen und nächster Zahlentermin

Vor gut einer Woche eröffnete Infineon in Warstein ein neues Büro- und Laborgebäude. Rund 350 Mitarbeitende sollen dort einziehen; das Gebäude umfasst rund 1.200 Quadratmeter Laborflächen. Die Investition lag nach Unternehmensangaben bei GARBE Institutional Capital und BC Partners Real Estate, nicht bei Infineon.

Die Aktie fällt heute um 1,2%; damit setzt sich die Schwäche nach dem branchenweiten Abverkauf fort. Medienberichten zufolge hatten Intels schwächerer Umsatz-Ausblick sowie Sorgen über die PC-Nachfrage und die Finanzierung hoher KI-Rechenzentrumsinvestitionen Chipwerte belastet.

Am 10. November veröffentlicht Infineon die Ergebnisse für das vierte Quartal und das Geschäftsjahr 2026.