Micron Technology fällt heute um 4,9% im schwachen Umfeld für Speicheraktien. Bereits am Freitag hatten Medienberichte den Verkaufsdruck mit Sorgen über chinesische Konkurrenz und die Rendite hoher Investitionen in künstliche Intelligenz verbunden. Im Mittelpunkt standen damit branchenweite Belastungen, nicht ein operatives Problem bei Micron.

Besonders die berichtete 4F2-Architektur von ChangXin Memory Technologies für Rechenzentrums-DRAM sorgte demnach für neue Wettbewerbsbedenken. Auch SK Hynix geriet unter Druck. Hinzu kamen die Ergebnisse von Samsung Electronics: Trotz Rekordgewinnen verfehlten sie die Erwartungen der Analysten.

Medienberichten zufolge belasteten außerdem schwächer als erwartete Investitionsausgaben von Alphabet die Technologiewerte. Anleger stellten zugleich infrage, ob die umfangreichen Ausgaben für KI-Infrastruktur ausreichende Erträge erzielen können.

Micron arbeitet an neuer Speichertechnik

Bei der eigenen Technologieentwicklung setzt Micron auf zusätzliche Fertigungsschritte. Wie Tom’s Hardware am 26. Oktober berichtete, plant das Unternehmen das Verbinden von Wafern für einen künftigen DRAM-Prozess. In späteren Generationen soll High-NA-EUV-Lithografie zum Einsatz kommen.

Darüber hinaus entwickelt Micron vertikalen HBM-Speicher sowie vertikalen Speicher für KI-Inferenz am Netzwerkrand. Diese Speicher sollen direkt auf Prozessoren integriert werden. Der Bericht beschreibt damit Entwicklungspläne, keine bereits abgeschlossene Einführung der Technologien.

Finanzierung für die Materialversorgung

Am 20. Oktober kündigte Micron außerdem eine strategische Finanzierung für Indium Corporation an. Nach Unternehmensangaben soll sie die Raffination kritischer Mineralien und die Herstellung hochreiner Materialien in Rome im US-Bundesstaat New York ausweiten.

Die Finanzierung gehört zu Microns Plan, bis zu 3 Milliarden $ in seine US-Halbleiterlieferkette zu investieren. Ein geplanter langfristiger Liefervertrag soll Micron Zugang zu den Materialien verschaffen.