Micron geriet gestern im Sog schwächerer Speicherchipwerte unter Druck, nachdem Samsung Electronics beim Quartalsnettogewinn die Analystenerwartungen verfehlt hatte. Medienberichten zufolge belasteten zudem geringer als erwartete Ausgaben von Microsoft und Alphabet für KI-Infrastruktur die Chipaktien. Die Micron-Aktie fiel um 5,9%.

Samsung hatte zwar Rekordergebnisse gemeldet, blieb beim Nettogewinn aber hinter dem Konsens zurück. Medienberichte brachten diese Enttäuschung mit den Verlusten anderer Speicherchiphersteller einschließlich Micron in Verbindung.

Neue Speichertechnologien in Entwicklung

Micron erläuterte am 21. Oktober in einem Technologie-Webinar seine Entwicklungspläne für mehrere Speicherarten. Für den DRAM-Prozess 1ε plant das Unternehmen Wafer-Bonding, für spätere Generationen den Einsatz von High-NA-EUV. Dabei werden Wafer miteinander verbunden beziehungsweise fortgeschrittene Belichtungsverfahren eingesetzt.

Zudem entwickelt Micron vertikalen HBM-Speicher sowie vertikalen Speicher für KI-Inferenz am Endgerät. Diese Vorhaben stellte das Unternehmen neben seinen Plänen für die nächste NAND-Generation vor.

Vor gut einer Woche präsentierte Micron die NAND-Generation G11. Sie soll gegenüber G9 ungefähr die doppelte Bitdichte erreichen und eine um bis zu 50% höhere Ein-/Ausgabeleistung bieten. Die Massenproduktion ist für die zweite Jahreshälfte 2027 geplant.

Arbeitskonflikt und Materialversorgung

In Taiwan führte eine Gewerkschaft in Taoyuan am 22. Oktober den geplanten eintägigen Streik im Streit über die Gewinnbeteiligung durch. Reuters berichtete zugleich, Micron habe mit einer anderen Gewerkschaft am größeren taiwanischen Standort eine Einigung erzielt.

Vor rund zwei Wochen kündigte Micron eine strategische Finanzierung für Indium Corporation sowie eine langfristige Liefervereinbarung an. Die Finanzierung soll den Ausbau der Raffination kritischer Mineralien und der Herstellung hochreiner Materialien in Rome, New York, ermöglichen. Die Liefervereinbarung verschafft Micron Zugang zu diesen Materialien.