Samsung Electronics profitiert von einer branchenweiten Halbleiter-Rally. Am Freitag legte die Aktie um 2,4 Prozent zu, nachdem SanDisk (Western Digital) Bruttomargen von rund 80 Prozent bis 2030 in Aussicht gestellt hatte – eine Prognose, die den globalen Speicherchip-Markt neu bewertete.

Zusätzlich befeuerte eine gemeldete Kooperation zwischen Samsung und Broadcom im Umfang von 200 Milliarden US-Dollar für Speicher- und Foundry-Technologien den Kurs.

Rekordinvestitionen in Forschung und Fertigung

Samsung selbst lieferte am Freitag weitere Argumente für die positive Marktstimmung. Im Halbjahresbericht wies das Unternehmen für die erste Jahreshälfte 2026 Forschungs- und Entwicklungsausgaben von 27,3627 Billionen Won aus – ein deutlicher Anstieg gegenüber 18,06 Billionen Won im Vorjahreszeitraum.

Parallel erreichten die Anlageninvestitionen mit 28 Billionen Won einen Rekordwert, mit dem der Konzern seine Führungsposition in der Halbleiterfertigung absichern will.

Ergänzt wird die Investitionsoffensive durch personelle Verstärkung im KI-Bereich: Samsung holte Han Bo-hyung, zuvor an der Seoul National University tätig, als Fellow für die KI-Modellentwicklung in der Forschungsabteilung.

Zudem wechselt Hahn Tai-rin von Meta als Executive Vice President zu Samsung und soll dort den Aufbau „KI-tauglicher“ Datenstrukturen verantworten. Die Personalie unterstreicht, wie stark der Konzern seine Organisation auf künstliche Intelligenz ausrichtet.

Broadcom-Kooperation als strategischer Hebel

Die am Donnerstag bekannt gewordene Zusammenarbeit mit Broadcom markiert einen der größten angekündigten Deals der jüngeren Firmengeschichte. Das auf 200 Milliarden US-Dollar taxierte Vorhaben zielt auf Speicher- und Foundry-Technologien für die nächste Generation von KI-Infrastruktur. Damit reagiert Samsung auch auf den wachsenden Wettbewerbsdruck: Erst kurz zuvor hatte Nvidia eine mehrjährige Partnerschaft mit der südkoreanischen SK Group über bis zu 500 Milliarden US-Dollar für HBM-Lieferungen und den Bau von KI-Fabriken vereinbart – ein Signal dafür, wie hart um Marktanteile bei KI-Speicherchips gerungen wird.

Samsung selbst zeigt hier technologische Fortschritte. Bereits am 11. August wurde bekannt, dass der Konzern für seine HBM4-Chips der sechsten Generation eine „Golden Yield“ von 80 Prozent erreicht hat – vier Monate früher als geplant und ein deutlicher Sprung gegenüber unter 60 Prozent beim Marktstart im Februar.

Auf der Fachmesse Future of Memory and Storage stellte Samsung zudem das Konzept „zHBM“ vor, bei dem HBM-Speicher direkt vertikal über KI-Beschleunigern gestapelt wird, sowie den V10 BV-NAND mit über 400 Schichten.

Marktführerschaft bei DRAM zurückerobert

Untermauert wird die positive Entwicklung durch Marktdaten von Counterpoint Research: Im zweiten Quartal 2026 eroberte Samsung mit einem Marktanteil von 39,4 Prozent die Führungsposition im globalen DRAM-Markt zurück und ließ Konkurrent SK Hynix mit 26 Prozent hinter sich.

Die Quartalszahlen selbst fielen ebenfalls stark aus: Der Konzern meldete einen Konzernumsatz von 171,5 Billionen Won und einen operativen Gewinn von 89,5 Billionen Won, getragen von einem 250-fachen Gewinnsprung in der Halbleitersparte.

Der Mirae-Asset-Securities-Analyst Kim Young-gun hob am Freitag sein Kursziel an und prognostizierte für das dritte Quartal 2026 einen operativen Gewinn von 120 Billionen Won, gestützt auf steigende DRAM-Preise und wachsende Foundry-Aufträge.

Der jüngste Kursverlauf spiegelt diese Nachrichtenlage wider: Nach einem Plus von 19 Prozent innerhalb einer Woche notiert die Aktie derzeit rund 27 Prozent unter ihrem 52-Wochen-Hoch von 374.500 Won, das im Juni erreicht wurde – Raum für weitere Kursfantasie bleibt damit erhalten, sollte sich die Dynamik bei KI-Speicherchips fortsetzen.